ION IMPLANTED STANDARDS FOR SECONDARY ION MASS SPECTROMETRIC DETERMINATION OF THE 1A-7A GROUP ELEMENTS IN SEMICONDUCTING MATRICESLETA DP; MORRISON GH.1980; ANAL. CHEM. (WASH.); ISSN 0003-2700; USA; DA. 1980; VOL. 52; NO 3; PP. 514-519; BIBL. 16 REF.Article

ETUDE DES COMPLEXES DE GALLIUM ET D'INDIUM AVEC LE CHROMAZUROL S ET LE BROMURE DE CETYLPYRIDINIUMGANAGO LI; ISHCHENKO NN.1980; Z. ANAL. HIM.; ISSN 0044-4502; SUN; DA. 1980; VOL. 35; NO 9; PP. 1718-1724; ABS. ENG; BIBL. 19 REF.Article

AAS-UNTERSUCHUNGEN UEBER VERDAMPFUNGS- UND PLASMAPROZESSE IN DER GRAPHITROHRKUEVETTE ZUR OPTIMIERUNG DER BESTIMMUNGEN VON CD-, ZN- UND MN-SPUREN IN A^IIIB^V-HALBLEITER-MATRICES = ETUDE EN SPECTROMETRIE D'ABSORPTION ATOMIQUE SUR LES PROCESSUS DE VAPORISATION ET DE FORMATION DE PLASMA DANS LE FOUR DE GRAPHITE, EN VUE DE L'OPTIMISATION DU DOSAGE DE TRACES DE CD, ZN, ET MN DANS DES MATRICES DE SEMICONDUCTEURS A^IIIB^VDITTRICH K; MOTHES W; WEBER P et al.1978; SPECTROCHIM. ACTA, B; GBR; DA. 1978; VOL. 33; NO 7; PP. 325-336; ABS. ENG; BIBL. 16 REF.Article

UNTERSUCHUNGEN ZUR ATOMSPEKTROSKOPISCHEN SPURENANALYSE IN A^IIIB^V-HALBLEITER-MIKROPROBEN. IV: VERGLEICH DER BESTIMMUNG VON TELLURSPUREN IM GA-P UND GA-AS DURCH AAS, AFS UND AES = ETUDE SUR L'ANALYSE DE TRACES PAR SPECTROMETRIE ATOMIQUE DANS LES MICRO-ECHANTILLONS DE SEMICONDUCTEURS A^IIIB^V. COMPARAISON DU DOSAGE DES TRACES DE TELLURE DANS GA-P ET GA-AS PAR SPECTROMETRIE D'ABSORPTION ATOMIQUE, SPECTROMETRIE DE FLUORESCENCE ATOMIQUE ET SPECTROGRAPHIE D'EMISSION ATOMIQUEDITTRICH K; VOGEL H.1979; TALANTA; GBR; DA. 1979; VOL. 26; NO 8; PP. 737-740; ABS. ENG; BIBL. 19 REF.Article

INTERFACE STRUCTURE OF P-TYPE GAP/AU/AU-ZNKOMATSU S; NAKAHASHI M; KOIKE Y et al.1981; JPN. J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-4922; JPN; DA. 1981; VOL. 20; NO 3; PP. 549-552; BIBL. 5 REF.Article

MECANISMES D'INTERACTION ET STRUCTURES ATOMIQUES DES MOLECULES CO ET CO₂ SUR LES SURFACES DES COMPOSES DU TYPE A^IIIB^VDVORYANKIN VF; MITYAGIN A YU; CHUSTARE TO et al.1980; FIZ. TVERD. TELA; ISSN 0367-3294; SUN; DA. 1980; VOL. 22; NO 6; PP. 1714-1718; BIBL. 2 REF.Article